直井 一也 | 産業技術総合研究所 計測標準研究部門 長さ計測科 幾何標準研究室

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論文 | ランダム

• 脱落膜の形態と機能
• 超格子構造と選択的な不純物ド-ピングによって化合物半導体の電子密度を上げる--HEMTや発光ダイオ-ドなど化合物半導体デバイスの性能が上がる
• 妊娠末期卵巣表面間質のdecidualization
• 性医学
• 組織消化法によるヒト子宮内膜割断面の超微細形態的観察

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