宇多 高明 | 建設省土木研究所河川管理
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概要
論文 | ランダム
- 3次元型トランジスタFinFETによるLSIの高密度設計法 : CMOSセルライブラリを用いたパターン面積の縮小効果の検討(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタを用いたシステムLSIの新レイアウト設計法(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 3.四端子FinFETデバイス技術 : 課題と対策及び展望(32nm世代VLSIを担うMore Moore技術-三次元ゲートMOSFET-)
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