間瀬 勘史 | 関西医科大学第1内科及び協力機関
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概要
論文 | ランダム
- パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用