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吉田 龍一 | コニカミノルタテクノロジーセンター コニカミノルタテクノロジーセンター
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GaN量子ドット紫外LEDの作製と光学特性
ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減
24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
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