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Inoue Satoshi | Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation, 281 Fujimi, Nagano 399-0293, Japan
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Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation, 281 Fujimi, Nagano 399-0293, Japan | 論文
Device Simulation of Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Analysis of Dependence on Defect Density
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