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Inoue Satoshi | Frontier Device Research Center, Seiko Epson Corporation, 281 Fujimi, Nagano 399-0293, Japan
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Frontier Device Research Center, Seiko Epson Corporation, 281 Fujimi, Nagano 399-0293, Japan | 論文
Extraction Technique of Trap Density at Grain Boundaries in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors with Device Simulation
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