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伊與田 浩介 | 日本医科大学第2内科学教室
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アクティブボディ効果を利用した低電源電圧動作可能なSOI CMOS低雑音増幅器
C-2-36 0.35μmBiCMOSプロセスを用いて作成した低損失L帯Si-MMIC5ビット可変減衰器
LC移相器を用いた2V動作可能な1.9GHz Siダウンミキサ回路
19GHz Si低歪みダウンミキサ回路
3.0Gb/s,272mW,8:1マルチプレクサ/4.1Gb/s,388mW,1:8デマルチプレクサ
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