久松 真 | 三重大学

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概要

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• 三重大学の論文著者

三重大学 | 論文

• 光関連デバイス-2 III族窒化物半導体の選択成長と発光デバイスへの応用
• 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
• GaNのHVPE法による厚膜バルク成長 (特集 ナイトライドセラミックスの新展開(1))
• 第5回窒化物半導体国際会議(ICNS-5)報告
• ワイドバンドギャップ半導体(1)窒化物(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))

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