岩谷 素顕 | 名城大学 理工学部 ハイテクリサーチセンターナノファクトリー
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概要
名城大学 理工学部 ハイテクリサーチセンターナノファクトリー | 論文
- AlGaN系紫外LED
- 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
- 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 紫外LEDの発光特性評価(III族窒化物研究の最前線)