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名城大学 理工学部 ハイテクリサーチセンターナノファクトリー | 論文

• AlGaN系紫外LED
• 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
• 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
• AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 紫外LEDの発光特性評価(III族窒化物研究の最前線)
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