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Geng Huiyuan | 論文著者
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Geng Huiyuan
Nitride Semiconductors Department, R&D Division, Furukawa Co., Ltd., 11-25-15 Wakagi-cho, Oyama, Tochigi 323-8601, Japan
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Geng Huiyuan
Nitride Semiconductors Department, R&D Division, Furukawa Co., Ltd., 11-25-15 Wakagi-cho, Oyama, Tochigi 323-8601, Japan