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東京大学工学部総合試験所 | 論文
- 光CVDを用いたMIS FETの研究-2-
- 脱衣室・トイレの暖房水準に関する研究
- 流動触媒層の流動特性と気泡の挙動
- 流動層における接触反応の工学的研究
- ナノ材料界面の高分解能電顕解析〔英文〕
- ピコ秒パルスの実時間波形整形法に関する研究
- 4Kにおけるオ-ステナイト鋼のマルテンサイト変態に及ぼす磁場の影響〔英文〕
- 2000t大型構造物試験機による鉄骨破断の再現
- GaAsの熱酸化
- 一般的な入力信号を用いたウェーブレットによるむだ時間測定
- DLTS法によるSi-MOSダイオ-ドのSi中のトラップ及び界面準位の測定
- GaAsのプラズマ陽極酸化膜--MOSダイオ-ド及びIGFETの電気的特性
- DLTS法によるGaAs MOSダイオ-ドの界面準位の測定
- インジウム・ガリウム・ひ素・エピタキシャル層の気相成長とその性質〔英文〕
- 透過型電子顕微鏡によるSi-SiO2界面の直接観察
- 電荷結合素子の非線形集中モデル
- Zincblende型半導体混晶の価電子帯の電子状態--LCBO法に基づいたCPA
- 三元半導体混晶のエネルギ-帯〔英文〕
- Si MOSダイオ-ドに対する電子ビ-ム衝撃効果
- 熱中性子照射によるシリコンへの不純物ド-ピング