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東京大学工学部総合試験所 | 論文
- シリカ薄膜を用いた,GaAsへの開管式不純物ド-ピングに関する研究
- 化学増幅型単層ネガレジストによる,GaAs基板上短周期回折格子の電子線描画に関する研究
- GaAs/AlGaAs系横型電極レ-ザと単一モ-ド導波路デバイスとのモノリシック集積化
- レ-ザホログラフィック露光による,高コントラスト回折格子形成に関する研究
- 地震時における円筒タンクからの溢流に関する基礎実験
- 交流電場を利用する液液抽出装置の特性解析
- ペロブスカイト型酸化物La1-xSrxMO3-δ(M=Cr,Fe)の欠陥平衡
- ジルコニア酸素センサ-の応答と電極特性
- Bi2(Sr2-xLax)CuOy系及びBi2Sr2(Ca1-xNdx)Cu2Oy系単結晶の作製と評価
- 銅酸化物高温超伝導体における超伝導転移温度TcとCuO2クラスタ-間距離の関係〔英文〕
- 分子線エピタキシ-システムの精密制御とその薄膜光デバイスへの応用〔英文〕
- GaAs基板上へのGaAs-InAlAs伸張歪量子井戸の作製とその偏光無依存光変調への応用
- MNOS-FETのSiO2膜中電流キャリアに関する実験的検討
- 陽電子消滅による耐放射線ポリマ-(PEEK)の電子線照射におけるミクロ構造の解析
- 気密住宅におけるガスファンヒーターの燃焼特性に関する研究
- 光CVD法による窒化燐の堆積とInP MISFET
- MOS容量の時間応答によるキャリア発生率の測定
- GaAs0-6P0-3赤色発光ダィオードの表面安定化に対するプラズマ酸化法の応用
- 塩化物溶融塩による構造材料の高温腐食
- 酸化物高温超伝導体Bi2Sr2CaCu2Oxの中性子照射後熱アニ-ルによる臨界電流密度の向上