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宮崎大学工学部 | 論文
- 次元増大追値制御系における最適LQ制御問題
- 配電用ギャップ付避雷器の衝撃波と乱流現象
- 電子回路のDC/TR解析プログラム:STRAS 1
- Study of the Semiconductor Properties by Irradiation-3-Neutron Radiation Effects on P-N Junction
- 放射線による半導体電子物性の研究-1-半導体素子の中性子線による特性劣化
- 放射線による半導体電子物性の研究-2-CdSセルの中性子線及びα線による特性劣化
- 放射線による半導体電子物性の研究-4-γ線によるZnS ELけい光体のフォト・ルミネスセンスの劣化
- α線によるMOS RAMソフトエラ-の研究--MOS RAMのソフトエラ-測定システムの研究
- 放射線による半導体電子物性の研究-5-トランジスタの中性子線による特性劣化
- 放射線による半導体電子物性の研究-6-ELセルの中性子線による特性劣化
- α線によるMOS RAMソフトエラ-の研究-2-MOS RAMのソフトエラ-測定システムの研究
- 放射線による半導体電子物性の研究-6-フォトダイオ-ドのγ線による特性劣化
- 放射線による半導体電子物性の研究-7-トランジスタ-のγ線による特性劣化
- 放射線による半導体電子物性の研究-8-Siウエハ-のγ線による捕獲準位の研究
- 放射線による半導体電子物性の研究-9-渦電流によるウェ-ハ導電率変化の測定
- レ-ザ核融合用燃料ペレットの研究--サイクロトロンによるペレットの非破壊検査
- α線によるMOS RAMソフトエラ-の研究-3-MOS RAMのソフトエラ-メカニズムの研究
- 放射線による半導体電子物性の研究-10-ZnS EL用蛍光体のX線マイクロアナライザによる分析
- 間接遷移半導体の光音響スペクトル,シリコン
- 偏極3Heとtの散乱におけるanalysing powerの光学模型による解析