対角距離√3dによるボルト・ナットの略画法--平均相対誤差和による最適比率に基づく

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概要

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• 大阪産業大学学会の論文

大阪産業大学学会 | 論文

• RFマグネトロンスパッタ法にて作成したZnO:Al薄膜の電気的光学的性質
• 相変化形Ag-In-Te-Sb系光記録膜
• Ga-Se-Te-Ge系薄膜を用いた光メモリ素子
• Ga-Se-Te系薄膜を用いた光メモリ素子
• As-Se-Tl系半導体の電気的光学的性質と熱電発電素子への応用

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