ALD法で作製したAl₂O₃(Ta/Nb)Ox/Al₂O₃多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 (シリコン材料・デバイス)
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概要
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- 電子情報通信学会の論文
- 2014-06-19
電子情報通信学会 | 論文
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