地球温暖化(2)第二章 温暖化の現状 : 二〇一一年

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概要

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• 2012-05-01

論文 | ランダム

• 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ultrathin HfO_xN_y Gate Insulator Formation by Electron Cyclotron Resonance Ar/N_2 Plasma Nitridation of HfO_2 Thin Films(Si Devices and Processes,Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
• The convex-concave characteristics of Gaussian channel capacity functions
• IPM型スパイラルモータの諸特性解析および磁気浮上制御

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