Characterization of Oxide Tarps in 28 nm p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Tip-Shaped SiGe Source/Drain Based on Random Telegraph Noise (Special Issue : Solid State Devices and Materials (1))

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概要

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論文 | ランダム

• 2106 H形鋼柱の複曲率弾塑性曲げ変形並びに崩壊性状に関する研究 : V. 定変位振幅曲げN=1/6Ny,δ_a=±7.5cm,±10.5cm±13.5cm(構造)
• H形鋼柱の複曲率交番繰り返し曲げせん断変形ならびに崩壊性状に関する研究(I・定変位振幅曲げN=1/3N_y、δ_a=±75mm、100mm)
• H形鋼柱の複曲率交番繰り返し曲げせん断変形ならびに崩壊性状に関する研究 : IV、定変位振幅曲げ N=2/3Ny, δa=±20mm, 30mm, 45mm : 構造
• 2086 H形鋼柱の複曲率交番繰り返し曲げせん断変形ならびに崩壊性状に関する研究 : III: 定変位振幅曲げ N=2/3Ny,δa=±30mm,45mm(構造)
• H形鋼柱の複曲率交番繰り返し曲げせん断変形ならびに崩壊性状に関する研究 : II,定変位振幅曲げ N=1/3Ny,δa=±75mm,±100mm : 構造

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