海外便り チンゲイパレード2011--シンガポール最大のお祭りに密着
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- 分子線エピタキシャル(MBE)法による高砒素圧・低温条件下のGaAs成長 (第40回同志社大学理工学研究所研究発表会 2002年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
- ナノ多結晶体中の粒界の構造と力学特性に関する分子動力学法による研究
- 404 単軸引張りを受ける棒状ナノ多結晶体の局所くびれ発生機構の検討 : EMT,EAMを用いた分子動力学シミュレーション(OS05-2 材料強度)(OS05 電子・原子シミュレーションに基づく材料特性評価)
- 427 予負荷を受けたナノ多結晶体の異方性と内部構造の関係 : 分子動力学法による研究(OS3-5 き裂他)(OS3 機械材料の変形とそのモデリング)
- 409 原子モデルを用いたランダム粒界特性評価(GS-1 分子動力学法)