Low gate-induced drain leakage and its physical origins in Si nanowire transistors (Special issue: Solid state devices and materials)
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- 日本列島における植物の分布型
- 来訪者特徴の推定を利用した「場所メタデータ」自動生成
- 57 モデルを利用した熱・電気教材の指導とその効果 (その2)
- SL(3$\mathbb{R}$)の一様有界表現について(対称空間上の固有函数とリー群の表現)
- テキストの制作意図(映像と印刷教材の組み合わせに関する比較研究-生化学の場合-,映像表現の多様性-シンポジウムの記録-)