特集 海運には厳しい新日鉄・住金の合併
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概要
論文 | ランダム
- C-12-43 SiN MOSFETと論理ゲートから構成される物理乱数生成回路(C-12. 集積回路ABC(測定・評価),一般セッション)
- 24aXJ-3 電荷及び磁束量子ビットにおけるクラスター状態の形成方法(24aXJ 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 超小型乱数発生素子 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
- 19pWF-2 電荷量子ビットのデコヒーレンス・フリー状態への局所的不均一性の効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12pYC-9 量子細線脇におかれた量子ドットの伝導に与える効果(量子細線, 領域 4)