Effect of Osci lIatory Fields on dc Resistance in the Intermediate State of Superconducting Tantalum (II)
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概要
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Une feuille de tantale tournee helicoidal a ete utilise afin de rechercher desvoltages resistants dans l' etat intermediare sur une application de un champmagnetique statique Ho (0-250 G) et un champ oscillatoire HI aux frequences10 Hz-50 kHz. Tous deux champs produits par un aimant de type de Helmholtz,parallele a l'un 1'autre, furent appliques perpendiculairement a l'echantillonhelicoidal. Les resultats sont en accord qualitativement avec un modele existantque l' encherissement du voltage resistant est cause par un remous-courantoscillatoire que aide en surmontant la force epinglant. Une dependance des dcvoltages de 1'intensite du champ et frequence fut aussi etudie.
- 福井大学工学部の論文
福井大学工学部 | 論文
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