Thermoelectric Power of Bismuth Thin Films
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概要
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Un dispositif cryogenique a ete fabrique pour Ie mesure du pouvoir thermoelectriqueet une etude preliminaire a ete effectue dans les couches minces de bismutha la temperature entre 77 et 300 K. Comme dans les travaux prealables, lesBi films sont prepares par evaporation en vacuum sur des substrats en verre ala temperature ambiante. Les resultats experimentaux obtennus montrent quedes pouvoirs thermoelectrique sont insensible a la temperature. Le signe deconductivite, auquel nous avons en un interet, fut negatif pour tous echantillons.
- 福井大学工学部の論文
- 1974-09-00
福井大学工学部 | 論文
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