First principles investigation on the modifications of the 4H-SiC band structure due to the (4,4) and (3,5) stacking faults
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- 1a-F-5 融解現象の計算機実験
- 特集によせて
- トリチウム濃縮率と随伴水量の実測による固体高分子電解におけるプロトン伝導機構の実証
- 高齢で補足運動野発作を発症した進行性核上性麻痺の1例
- 伐採方向の違いによるタケ帯状伐採の生産性とコストの比較