新システムにおける幼保一体化批判と私たちの課題
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概要
論文 | ランダム
- Dislocation propagation in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth
- GaNの選択成長及び横方向成長
- GaNの選択成長及び横方向成長
- GaN選択横方向成長による転位密度の低減
- Thick and Smooth Hexagonal GaN Growth on GaAs (111) Substrates at 1000℃ with Halide Vapor Phase Epitaxy