支部通信 エジプトの経済事情
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概要
論文 | ランダム
- Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発 (マイクロ波)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響 (マイクロ波)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 (マイクロ波)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 (マイクロ波)
- デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 (マイクロ波)