持続的成長で先進化学企業を目指す--JSR,新中計 「JUMP2010」がスタート

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

論文 | ランダム

• 真空蒸着法によるGaSbxN1-x薄膜の作成
• MIS構造Al-Al_2O_3-GaSのV-I特性
• RFスパッタリングによるGa_2S_薄膜の基礎特性
• RFスパッタリングによるSiC薄膜の電気的性質
• 歯周包帯剤が臍帯静脈内皮由来細胞による管腔様構造の形成に及ぼす影響

もっと見る

スポンサーリンク