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概要

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• 2006-12-13

論文 | ランダム

• Geの不純物伝導におけるピエブ抵抗効果 I. : 補償度依存性 : 半導体
• 4p-L-6 不純物伝導領域におけるピエゾ抵抗効果
• 10p-A-6 Geの不純物伝導領域におけるピエゾ磁気抵抗効果
• イオン衝撃及び焼俣しによるゲルマニウム表面の格子欠陥 : 半導体
• イオン衝撃による清浄Ge表面の伝導 : 半導体

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