天安門事件以後の民族問題とその国際化 (天安門事件後の中国)
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概要
論文 | ランダム
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- 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)