Investigation of DC Hot-Carrier Degradation at Elevated Temperatures for n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor of 0.13μm Technology (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- 慣性閉込め用電源 (核融合実験装置の電源)
- 木材とMDFの切削面性状に及ぼすルータビットの負すくい角の影響
- 慣性閉じ込め核融合(レ-ザ方式とREB方式)の開発
- 西鶴、平山藤五の言語宇宙(16)譬喩・諺の世界をさぐる(9)
- 西鶴、平山藤五の言語宇宙(15)譬喩・諺の世界をさぐる(8)