作品 同潤会江戸川アパートメント建替プロジェクト--設計 NEXT ARCHITECT&ASSOCIATES
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions with exchange biasing
- Tunnel magnetoresistance in epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2MnGe thin film and MgO tunnel barrier
- Structural and magnetic properties of epitaxially grown full-Heusler alloy Co2MnGe thin films deposited using magnetron sputtering