公共交通機関における空間誘導情報のあり方(2)博多駅のサインに関する研究

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概要

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論文 | ランダム

• AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire(Session9B: GaN and SiC Device Process Technology)
• Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs Using HfO_2 as a Gate Oxide
• Normally-off AlGaN/GaN MIS-HFETs Using Non-polar a-Plane
• Normally-off Operation of Non-polar AlGaN/GaN Heterojunction FETs Grown on R-plane Sapphire
• The Exchange-Coupled Field in NiO/Ni Double Layer on Silica Substrates

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