反跳イオン注入法とイオンビーム誘起結晶成長法を用いた非晶質SiGe層の単結晶化

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概要

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• 法政大学イオンビ-ム工学研究所の論文

法政大学イオンビ-ム工学研究所 | 論文

• Siへの高エネルギ-Cイオン注入による埋め込みSiC層の形成
• 核医学における放射性同位元素を用いたイメ-ジング技術
• 水素プラズマビ-ムと模擬器壁間の絶縁破壊2
• GaN中の黄色帯発光の電子線照射効果
• 中性子照射GaP中の欠陥構造に関係したLOフォノンの低波数側へのシフト

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