フェムト秒レーザー照射による強磁場中に置かれた半導体からの高強度テラヘルツ電磁波の発生 (強磁場下の物性の研究--光物性)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 25a-YN-21 InAs(100)清浄表面から放射されるテラヘルツ放射の温度依存性
- 大きいサイズのCe : LiCAF結晶を用いた紫外レーザーからの30mJパルスの発生
- CLEO/QELS '97報告
- 1A1445 テラヘルツ電磁波を用いた遠赤外吸収分光によるタンパク質の低振動モードの追跡
- テラヘルツ電磁波の分子科学への応用
- 磁場下における半導体からの高強度テラヘルツ電磁波発生と応用
- テラヘルツ電磁波の発生と分光への応用 (超高速化学ダイナミクス--フェムト・ピコ秒領域の化学) -- (ピコ・フェムト秒光の発生と検出)
- フェムト秒レーザー励起による半導体からの高強度テラヘルツ光発生 (特集:テラヘルツ光)
- テラヘルツ電磁波によるイメージング
- 高強度テラヘルツ電磁波の発生法
- 紫外領域波長可変固体レーザーの新展開
- 29p-ZG-5 磁場によるテラヘルツ電磁波のスペクトル制御
- 29p-ZG-4 チャープしたフェムト秒パルスレーザーによるテラヘルツ電磁波のスペクトル制御
- THz電磁波の可視化と集光特性の測定
- 新しいYb : glassにおける広い利得帯域幅の実測
- 励起光パルス幅とチャープ方向による高強度テラヘルツ電磁波のスペクトル制御
- テラヘルツ電磁波のスペクトル制御 : チャープしたフェムト秒レーザーパルス励起により強磁場中に置かれたInAsから発生するテラヘルツ電磁波のスペクトル制御
- 短パルステラヘルツ電磁波集光特性の測定
- 2p-YG-1 サブミリワットTHz電磁波の偏光特性と集光特性
- コンパクトピコ秒パルスラジオリシスシステムを用いた紫外固体レーザー結晶Ce^ : LiCaAlF_6の電子線パルス励起による特性評価
- 6p-G-2 フェムト秒レーザー光励起遠赤外放射の磁場による高輝度光源化と偏光特性
- 磁場による半導体からのテラヘルツ電磁波放射の増強
- テラヘルツ電磁波のさまざまな発生法とその応用
- フェムト秒レーザー照射による強磁場中に置かれた半導体からの高強度テラヘルツ電磁波の発生 (強磁場下の物性の研究--光物性)