アクセス時間1.9ns高速10ポートRAM

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概要

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• 日立超LSIシステムズの論文

日立超LSIシステムズ | 論文

• A Precise On-Chip Voltage Generator for a Giga-scale DRAM with a Negative Word-line Scheme
• 半導体デバイスのイオン打ち込み分子シミュレーション
• ランダムアクセス4.8ns超高速DRAMの開発
• Local Mechanical-Stress Control(LMC): A New Technique for CMOS-Performance Enhancement
• Flash FUSEを用いたシステムLSI内蔵メモリの救済技術

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