Carrier distribution profiles in Si-doped layers in GaAs formed by focused ion beam implantation and successive overlayer growth
スポンサーリンク
概要
大阪大学極限科学研究センタ- | 論文
- スターバースト分子ガラス中のエネルギーマイグレーション
- ピコ秒過渡吸収の異方性と溶液中の励起状態ダイナミクス
- レーザー色素の溶媒和ダイナミクス--溶媒配向緩和の非線形応答
- フェムト秒光カー効果分光による混合液体ダイナミクスの研究
- 量子スピン系の強磁場磁化過程