高温水素アニールが4H-SiC MOS構造の界面特性、チャネル移動度及びホットキャリア耐性に与える効果 (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (MOSデバイスプロセス)
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概要
新機能素子研究開発協会 | 論文
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