ゼログラフィック分光法による非晶質As2Se3の深い局在準位の測定

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概要

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電子写真学会 | 論文

• トナ-材料の動的摩擦帯電特性
• 半導体の光電極反応を用いた画像形成法-3-Fe2O3/芳香族化合物系の検討
• 半導体電極上に於ける芳香族化合物の光電解酸化を用いた疎水性パタ-ンの形成--酸化チタン/フェノ-ル系の検討
• 色素吸着ZnO粉体層の体面電位と光起電力
• ZnO単結晶の光起電力

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