高周波電圧による高分子材料の部分放電劣化-1-部分放電パルス発生領域とパルス間隔

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概要

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• 大阪府立工業技術研究所の論文

大阪府立工業技術研究所 | 論文

• デュアルイオンビ-ムスパッタ法によるa-Si:H薄膜の作製
• イオンビ-ムスパッタ用イオン銃の特性と成膜速度
• イオンマイクロアナライザによる圧延鋼板の定量分析
• Pt-SiO2-nSi太陽電池の試作--Pt膜作製方法と太陽電池の諸特性
• ZnS:MnF2 ELセルの諸特性におよぼす硫化インジウム層の効果

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