高温水素アニールにより4H-SiC MOSFETの界面準位密度の低減/チャネル移動度の向上に成功
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概要
工業技術院電子技術総合研究所 | 論文
- 超音波クラスター発生装置の開発
- パーティクルフリーBSCCO超伝導薄膜作製に成功--原子吸光フラックスモニター法を用いた高精度分子線結晶成長技術で
- 多分野多目的に利用できる高機能3次元視覚システムVVV
- 仮想作業教示による実環境適応型ロボットプログラミング手法を開発--さまざまな環境で組立作業を行う知能ロボットシステムを構築
- 3次元物体のデ-タベ-ス化と感性検索技術