LSI構成材料中U,Thの分析--高濃縮分離法を併用した二次イオン質量分析

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概要

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• 日本電信電話研究開発本部の論文

日本電信電話研究開発本部 | 論文

• InP/InGaAsヘテロ接合スイッチングホトダイオ-ド
• Geアバランシフォトダイオ-ド
• 光ファイバ伝送用Si-APD
• GaAs進行波増幅器-2-実験
• なだれ受光ダイオ-ド降伏電圧の温度係数(資料)

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