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全体計画要旨 (大学キャンパス<特集>) -- (東京工業大学長津田キャンパス〔設計・東京工業大学長津田計画室〕)
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MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
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