プロセス原価計算と限界計画原価計算および補償貢献額計算との比較(2)

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概要

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大阪産業大学学会 | 論文

• RFマグネトロンスパッタ法にて作成したZnO:Al薄膜の電気的光学的性質
• 相変化形Ag-In-Te-Sb系光記録膜
• Ga-Se-Te-Ge系薄膜を用いた光メモリ素子
• Ga-Se-Te系薄膜を用いた光メモリ素子
• As-Se-Tl系半導体の電気的光学的性質と熱電発電素子への応用

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