Risk adjusted and population based studies of the outcome for high risk infants in Scotland and Australia

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概要

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論文 | ランダム

• 1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
• 増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策
• 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
• 微細単結晶球またはこれに付随した極微構造が関与
• 21aRB-5 ポリSiゲート中の不純物原子の粒界偏析の3次元観察(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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