4-1B15 イオン注入によって作製した正方晶窒化鉄薄膜のメスバウアー分光分析

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1990-09-26

論文 | ランダム

• 次世代デバイス開発に不可欠なナノ分析・評価技術
• 化合物半導体デバイス評価における電子顕微鏡法の寄与
• C ドープ InGaP/GaAs HBTの信頼性
• Si(001)基板上に成長したAl結晶の構造評価
• 14p-DJ-7 Si(001)上のAl薄膜のSTM観察

もっと見る

スポンサーリンク