2D06 リン化ホウ素のサファイア単結晶上のエピタキシャル成長 (II)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
BP single crystalline layer was grown on sapphire single crystalline substrate. The orientation relationship was (111)BP/(0001) sapphire; [11^^-0] BP// [112^^-0] sapphire, [112^^-] BP//[1^^-010] sapphire. The obtained film exhibited p-type conduction and the electrical resistivity, carrier concentration, and mobility were 529Ω・cm, 3.81×(10)^<15>(cm)^<-3>, 3.5(cm)^2/s・V, respectively, indicating the autodopings from the substrate.
- 1992-05-20
論文 | ランダム
- 角閃石の含水量,XFe,D/H (種子田定勝教授記念号)
- 西太平洋の海底から得られた火成岩の水素およびストロンチウムの同位体比
- 中国地方の花崗岩類の黒雲母および角閃石のD/H
- 茨木花崗岩体の黒雲母の水素同位体比
- 角閃石の含水量に対する圧力の影響 : 深成岩および変成岩