28p-R-10 n-MOSFETにおけるインパクトイオン化率と電子温度の関係

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概要

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• 1995-03-28

論文 | ランダム

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• 12p-S-12 鉄中の転位と点欠陥の相互作用
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• 2p-TA-7 KUR低温照射装置によるFa-B合金の内耗測定

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