荷電粒子検出用CMOSイメージセンサ
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概要
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積層型荷電粒子検出用cMosイメージセンサを開発した。本センサを2次イオン質量分析装置1こ導入Eノ、80dBの広いダイナミックレンジと、良好な線形性を有する荷電粒子像検出システムを実現した。画素のノイズを評価した結果、cMosセンサの特長である非破壊読み出しを本u用して1ノセ・ソトノイズを士(13圧できれ{ま、将来的に100dBを超えるダイナミックレンジの実現も可能であると考えられる。
- 1999-10-21
論文 | ランダム
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