Uniform Low-to-High In Composition InGaN Layers Grown on Si
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Uniform, compact, and thick InGaN layers are grown on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy without any buffer layers at low temperatures of around 320 °C. By adjusting the Ga/In flux ratio, InGaN layers with In compositions between 10 and 33% are obtained, providing emission covering the whole visible spectral range. The In composition varies less than 2% over large areas, and the single-crystalline hexagonal InGaN layers have a well-defined epitaxial relationship with the Si substrate. Photoluminescence is observed up to room temperature, opening the prospect for the direct integration of InGaN light-emitting devices with Si technology.
- 2013-11-25
著者
-
Jimenez Juan
Department Of Analytical Chemistry Faculty Of Sciences University Of Valladolid
-
Garcia Rafael
Department Of Geography University Of Edinburgh
-
Calleja Enrique
Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain
-
Rodriguez Paul
Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain
-
Gómez Victor
Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain
-
Nötzel Richard
Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain
-
Kumar Praveen
Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain
-
Rodriguez Paul
Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, Madrid 28040, Spain
-
Aseev Pavel
Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, Madrid 28040, Spain
-
ul Hassan
Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, Madrid 28040, Spain
-
Mánuel José
Departamente Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica, Facultad de Ciencias, Universidad de Cádiz, Puerto Real, Cádiz 11510, Spain
-
Morales Francisco
Departamente Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica, Facultad de Ciencias, Universidad de Cádiz, Puerto Real, Cádiz 11510, Spain
-
ul Hassan
Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, Madrid 28040, Spain
-
Aseev Pavel
Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, Madrid 28040, Spain
-
JIMENEZ Juan
Departamento de Arquitectura de Computadores y Automatica, Facultad CC Fisicas, Universidad Complutense de Madrid
-
Morales Francisco
Departamente Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica, Facultad de Ciencias, Universidad de Cádiz, Puerto Real, Cádiz 11510, Spain
-
Nötzel Richard
Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, Madrid 28040, Spain
関連論文
- Gas chromatographic determination of acrinathrine and 3-phenoxybenzaldehyde residues in honey
- The Estimation of Wind Risk in Forests Stands using Airborne Laser Scanning (ALS)(Silvilaser)
- First Demonstration of Direct Growth of Planar High-In-Composition InGaN Layers on Si
- Uniform Low-to-High In Composition InGaN Layers Grown on Si
- Highly Sensitive and Fast Anion-Selective InN Quantum Dot Electrochemical Sensors
- Highly Sensitive and Fast Anion-Selective InN Quantum Dot Electrochemical Sensors
- Robot Navigation Based on Discrimination of Artificial Fields : Application to Single Robots
- Robot Navigation Based on Discrimination of Artificial Fields : Application to Robot Formations
- First Demonstration of Direct Growth of Planar High-In-Composition InGaN Layers on Si