Fabrication of Sol--Gel Alumina Dielectric for Low-Voltage Operating Pentacene Transistor

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概要

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• We present a sol--gel based aluminum oxide dielectric for low-voltage organic thin film transistor that is stable and robust. The solution-processed dielectric does not cause hysteresis and the device with the dielectric is stable in that there is no threshold voltage shift when subjected to bias stress. With easy control of the dielectric thickness, the low voltage operating device can be made insensitive to fluctuations in off state voltage.

• 2011-04-25

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